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J-GLOBAL ID：200903064350953934

薄膜半導体光触媒素子とこれを用いた反応装置

Inventor： 内田 裕之 ,  渡辺 政廣
Applicant, Patent owner： 渡辺 政廣 ,  内田 裕之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996114096
Publication number (International publication number)：1997276707
Application date： Apr. 11, 1996
Publication date： Oct. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】有害物質の迅速な分解が可能になる薄膜半導体光触媒素子とこれを用いた反応装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の薄膜半導体光触媒素子では、金属触媒とPTFE粒子の付与によって電荷分解と酸素還元反応を加速できるため、単一の使用においても迅速な有害物の分解を行うことができる。更に基材に担持した光触媒素子を複数枚間隔お置いて平行に配置して、半導体光触媒の表面に対して低い入射角で光を照射する3次元積層化方式により、分解速度、単位光照射面積当たりの処理能力ともに大幅に向上する。

Claim (excerpt)：

酸素との親和性を持ちかつ気体の流通路を有する多孔性フッ素化合物膜内に、粒子径が0.005〜5μmの半導体光触媒粒子が分散していることを特徴とする膜状半導体光触媒素子。

IPC (5)：

B01J 35/02 ,  B01J 19/12 ,  B01J 23/40 ,  C08J 11/00 ,  C09K 3/00

FI (5)：

B01J 35/02 J ,  B01J 19/12 Z ,  B01J 23/40 M ,  C08J 11/00 ,  C09K 3/00 S