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J-GLOBAL ID：200903064393829692

半導体装置とその製造方法

Inventor： 堀田 幸司 ,  河路 佐智子 ,  杉山 隆英 ,  臼井 正則
Applicant, Patent owner： トヨタ自動車株式会社
Agent (1)： 特許業務法人快友国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004196573
Publication number (International publication number)：2006019556
Application date： Jul. 02, 2004
Publication date： Jan. 19, 2006
Summary：

【課題】 バイポーラ動作する半導体装置に関し、オン電圧とターンオフ損失との間に存在するトレードオフ関係を打破すること。【解決手段】 コレクタ電極Cと、コレクタ電極Cの一部と接するp+型コレクタ領域12と、コレクタ電極Cの残部とp+型コレクタ領域12に接するn-型半導体領域13と、p+型コレクタ領域12とn-型半導体領域13によってコレクタ電極Cから隔てられているn+型半導体領域14と、n+型半導体領域14と接するn-型ドリフト領域16とを備える裏面側構造を有する半導体装置である。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

コレクタ電極と、 コレクタ電極の一部に接する第1導電型のコレクタ領域と、 コレクタ電極の残部とコレクタ領域に接する第2導電型の低濃度半導体領域と、 コレクタ領域と低濃度半導体領域によってコレクタ電極から隔てられている第2導電型の高濃度半導体領域と、 高濃度半導体領域と接する第2導電型のドリフト領域と、 ドリフト領域によって高濃度半導体領域から隔てられている第1導電型のボディ領域と、 ボディ領域によってドリフト領域から隔てられている第2導電型のエミッタ領域と、 エミッタ領域に接するエミッタ電極と、 エミッタ領域とドリフト領域を隔てているボディ領域にゲート絶縁膜を介して対向するゲート電極を備えている半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/739 ,  H01L 21/336

FI (5)：

H01L29/78 655E ,  H01L29/78 653C ,  H01L29/78 655D ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 658E

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 絶縁ゲート型サイリスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-078530   Applicant：富士電機株式会社