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J-GLOBAL ID：200903064394115286

エッチング方法

Inventor： 合田 尚 ,  朝比奈 泰俊 ,  橋本 正幸 ,  岡 直樹
Applicant, Patent owner： 株式会社日本製鋼所 ,  日鉄セミコンダクター株式会社
Agent (1)： 曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992041567
Publication number (International publication number)：1993243188
Application date： Feb. 27, 1992
Publication date： Sep. 21, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明の目的は、アンダーカットを生ずることがない、寸法精度に優れたポリシリコン(以下、アンドープド及びドープドポリシリコンを含むものとする)のエッチング方法を提供することにある。【構成】 本発明に係るエッチング方法は、電子サイクロトン共鳴エッチング法またはマイクロ波プラズマエッチング法によるポリシリコンのエッチング方法において、エッチング用プロセスガスとしてCl2+HBrを使用し、Cl2は全体の50〜70%とする第1工程と、HBr+Heを使用し、HBrは全体の20〜50%とし、試料台に-100〜-30Vの低いバイアス電圧を印加する第2工程よりなることを特徴とする。更に、第2の発明によれば、エッチング用プロセスガスとしてHBr+HeをHBrがHBr+Heの20〜50%となる割合で使用し、試料台に比較的高い-100〜-250Vのバイアス電圧を印加する第1工程と、-100〜-30Vの低いバイアス電圧を印加する第2工程よりなることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

電子サイクロトロン共鳴エッチング法またはマイクロ波プラズマエッチング法によるアンドープドポリシリコンあるいはドープドポリシリコンのエッチング方法において、エッチング用プロセスガスとして塩素(Cl2)+臭化水素(HBr)を使用し、塩素は全体の50〜70%とする第1工程と、HBr+ヘリウム(He)を使用し、HBrは全体の20〜50%とし、試料台に-100〜-30Vの低いバイアス電圧を印加する第2工程よりなることを特徴とするエッチング方法。

IPC (2)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00