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J-GLOBAL ID：200903064394888790

半導体レーザ

Inventor： 中村 幸治 ,  堀川 英明
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994288402
Publication number (International publication number)：1996148753
Application date： Nov. 22, 1994
Publication date： Jun. 07, 1996
Summary：

【要約】【目的】 窓構造のGaAs系或はAlGaAs系半導体レーザにおいて、レーザ出力を一層高めても共振器端面の光学的損傷を生じないようにするため、窓領域のキャリア発生確率を低減する。【構成】 基板12上に順次に、下側クラッド層14、光ガイド層16、活性層18、上側クラッド層20及びコンタクト層42を設ける。そして活性層18が設けられる利得領域26に駆動電極対28、30 を設け、活性層18が設けられない窓領域22に引抜き電極対28、32 を設ける。駆動電極28及び引抜き電極28を共通電極とする。また利得領域26の駆動電極30及びコンタクト層42と窓領域22の引抜き電極32及びコンタクト層42とを分断して、これら電極30、32 の間に分離抵抗を形成する。引抜き電極対28、32 を介し窓領域22からキャリアを引き抜くことにより目的を達成する。

Claim (excerpt)：

基板上に順次に設けられた下側クラッド層、活性層及び上側クラッド層と、共振器端面及び活性層端部の間の窓領域に設けられ発振波長に対し透明な窓層と、前記活性層に対応する利得領域に設けられた駆動電極対とを備えて成る半導体レーザにおいて、キャリアを引き抜くため窓領域に設けられた引抜き電極対を備えて成ることを特徴とする半導体レーザ。