Pat

J-GLOBAL ID：200903064399335950

a-DLC-Si膜の形成方法

Inventor： 滝 正佳
Applicant, Patent owner： トヨタ自動車株式会社
Agent (1)： 大川 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991300649
Publication number (International publication number)：1993140744
Application date： Nov. 15, 1991
Publication date： Jun. 08, 1993
Summary：

【要約】【目的】 密着性に優れた低摩擦係数のa-DLC-Si膜の形成方法。【構成】 基板11を、反応室14内において、ECRプラズマ室17に対面して斜めに設置し、ECRプラズマ室17に反応ガスを導入してECRプラズマCVDにより基板にDLC(ダイヤモンド・ライク・カーボン)膜を形成するとともに、基板11に対向して反応室内に配置したSiターゲット10にレーザ1を照射してレーザPVDにより基板11にSiを蒸着させ、基板上にa-DLC-Si膜を形成する。プラズマ室17に導入された反応ガスは、プラズマ室内で励起され、発散磁界によりプラズマ流の形で基板11に供給されるので、基板11の上にDLC膜が生成するとともに、レーザPVDにより高いエネルギーのSi蒸発粒子が蒸着するので、密着性の優れたa-DLC-Si膜が形成される。

Claim (excerpt)：

基板を、反応室内において、マイクロ波矩形導波管と磁気コイルを具備したECRプラズマ室に対面して斜めに設置し、前記基板に対向して反応室内にSiターゲットを配置し、前記ECRプラズマ室に反応ガスを導入してECRプラズマCVDにより前記基板にDLC(ダイヤモンド・ライク・カーボン)膜を形成するとともに、前記反応室に設けた入射窓を介してレーザ光をSiターゲットに照射してレーザPVDにより前記基板にSiを蒸着させ、前記基板上にa-DLC-Si膜を形成することを特徴とするa-DLC-Si膜の形成方法。

IPC (4)：

C23C 16/26 ,  C01B 31/36 ,  C23C 14/10 ,  C23C 26/00