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J-GLOBAL ID:200903064417226005

有機半導体材料、これを用いた有機トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003084070
Publication number (International publication number):2004006747
Application date: Mar. 26, 2003
Publication date: Jan. 08, 2004
Summary:
【課題】簡単な方法でキャリア移動度が高い有機半導体材料、これを用いた有機トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子を提供すること。【解決手段】一般式(1)または(2)で表される繰り返し単位を有する置換チオフェン多量体を含有することを特徴とする有機半導体材料。【化1】【選択図】 なし
Claim (excerpt):
一般式(1)または(2)で表される繰り返し単位を有する置換チオフェン多量体を含有することを特徴とする有機半導体材料。
IPC (3):
H01L29/786 ,  C07D333/18 ,  H01L51/00
FI (3):
H01L29/78 618B ,  C07D333/18 ,  H01L29/28
F-Term (34):
5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110CC02 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33

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