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J-GLOBAL ID：200903064442076115

光電気セル

Inventor： 小 柳 嗣 雄 ,  小 松 通 郎
Applicant, Patent owner： 触媒化成工業株式会社
Agent (1)： 鈴木 俊一郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001123065
Publication number (International publication number)：2002319439
Application date： Apr. 20, 2001
Publication date： Oct. 31, 2002
Summary：

【要約】【課題】電極層の腐食等が少なく、高い光電変換効率を長期にわたって維持可能な光電気セルを提供する。【解決手段】表面に電極層(1)を有し、かつ該電極層(1)表面に光増感材を吸着した多孔質半導体膜(2)が形成されてなる電極付基板(A)と、表面に電極層(3)を有する電極付基板(B)とが、前記電極層(1)および電極層(3)が対向するように配置してなり、多孔質半導体膜(2)と電極層(3)との間に電解質層を設けてなる光電気セルにおいて、電極層(1)と多孔質半導体膜(2)との間に非孔質半導体膜(7)を有し、電極付基板(A)および(B)の少なくとも一方の基板および電極層が透明性を有していることを特徴とする光電気セル。

Claim (excerpt)：

表面に電極層(1)を有し、かつ該電極層(1)表面に光増感材を吸着した多孔質半導体膜(2)が形成されてなる電極付基板(A)と、表面に電極層(3)を有する電極付基板(B)とが、前記電極層(1)および電極層(3)が対向するように配置してなり、多孔質半導体膜(2)と電極層(3)との間に電解質層を設けてなる光電気セルにおいて、電極層(1)と多孔質半導体膜(2)との間に非孔質半導体膜(7)を有し、電極付基板(A)および(B)の少なくとも一方の基板および電極層が透明性を有していることを特徴とする光電気セル。

IPC (2)：

H01M 14/00 ,  H01L 31/04

FI (2)：

H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z

F-Term (9)：

5F051AA14 ,  5F051CB13 ,  5F051DA20 ,  5F051FA03 ,  5F051FA06 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032EE17 ,  5H032HH00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 光電変換素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-346708   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 光電変換素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-346709   Applicant：セイコーエプソン株式会社