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J-GLOBAL ID：200903064468451267

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

Inventor： 中村 修二 ,  向井 孝志
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993146383
Publication number (International publication number)：1995007182
Application date： Jun. 17, 1993
Publication date： Jan. 10, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 p-n接合の窒化ガリウム系化合物半導体を用いて発光素子の輝度、および発光出力を向上させる。【構成】 n型Ga<SB>1-Y</SB>Al<SB>Y</SB>N(0<Y<1)層とp型Ga<SB>1-Z</SB>Al<SB>Z</SB>N(0<Z<1)層との間に、n型ドーパントとp型ドーパントとがドープされたn型Ga<SB></SB><SB>1-X</SB>Al<SB>X</SB>N(0≦X<1、X<Y、X<Z)層を発光層5として具備するダブルへテロ構造の発光素子。

Claim (excerpt)：

n型Ga<SB>1-Y</SB>Al<SB>Y</SB>N(0<Y<1)層とp型Ga<SB>1-Z</SB>Al<SB>Z</SB>N(0<Z<1)層との間に、n型ドーパントとp型ドーパントとがドープされたn型Ga<SB>1-X</SB>Al<SB>X</SB>N(0≦X<1、X<Y、X<Z)層を発光層として具備することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。