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J-GLOBAL ID：200903064469990870

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 山中 英雄
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994087800
Publication number (International publication number)：1995183415
Application date： Mar. 31, 1994
Publication date： Jul. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 光学的特性に優れかつ製造歩留りの向上を図れる半導体装置およびその製造方法を提供すること。【構成】 半導体素子10を搭載する基台2と、基台2上に設けられ開口部31を備えたフレーム3と、開口部31内に埋め込まれた透光性樹脂4と、透光性樹脂4上に配置される透光板5とから成る半導体装置1で、透光板5の周縁と開口部31の周縁との間に隙間51を備えたり透光板5に遮光膜を備えたりする。また開口部31を中心としたフレーム3の両側に開口部31と臨む切欠部32を設けておき半導体素子10を搭載した状態で透光性樹脂4を充填し、透光性樹脂4を押圧しながら透光板5を切欠部32に載置して半導体装置1を製造する。

Claim (excerpt)：

略中央に半導体素子を搭載するための基台と、該基台上に設けられ少なくとも該半導体素子の上方領域に開口部を備えたフレームと、該開口部内に埋め込まれて該基台に搭載された半導体素子を封止する透光性樹脂と、該透光性樹脂上に配置される透光板とから成る半導体装置であって、前記透光板の周縁と前記開口部の周縁との間には隙間が設けられていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L 23/02 ,  H01L 23/24 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/12

FI (2)：

H01L 23/30 F ,  H01L 27/14 D