Pat

J-GLOBAL ID：200903064477594526

多結晶シリコン層の形成方法及びそれを用いた多結晶シリコン薄膜トランジスタ

Inventor： 増茂 邦雄
Applicant, Patent owner： エイ・ジー・テクノロジー株式会社
Agent (1)： 泉名 謙治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992269563
Publication number (International publication number)：1994097073
Application date： Sep. 11, 1992
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】低温プロセスを達成し多結晶シリコン層中の欠陥密度を減少させ、TFTの電気的特性を向上させる。【構成】光ビームアニール後に多結晶シリコン層を350°C以上430°C以下の温度で熱処理する。【効果】多結晶シリコンTFTのリーク電流が1/2〜1/3程度、低減される。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に形成された非晶質シリコン薄膜に、連続発振レーザー光などの光ビームを照射せしめ、前記光ビームの走査速度をビームスポット径×5000/秒以上として前記非晶質シリコン薄膜を光ビームアニールし、完全な溶融状態に至らしめることなく多結晶シリコン層化し、さらにこの多結晶シリコン層を350°C以上430°C以下の温度で熱処理することを特徴とする多結晶シリコン層の形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784