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J-GLOBAL ID：200903064490989173

シリコン単結晶とその熱処理方法およびその製造方法

Inventor： 岩崎 俊夫 ,  川上 和人 ,  中靜 恒夫 ,  大久保 正道
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社 ,  ニッテツ電子株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993188543
Publication number (International publication number)：1995041391
Application date： Jul. 29, 1993
Publication date： Feb. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、チョクラルスキー法(以下、CZ法)により製造された良好な表面無欠陥層の形成が可能なシリコン単結晶、その熱処理方法およびその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 上記目的を達するために本発明においては、CZ法により製造されたシリコン単結晶を1200°C〜1400°Cの高温で熱処理し、つづいて500°C〜800°Cの温度域で熱処理を行う。また、CZ法によりシリコン単結晶を製造する過程において、結晶製造炉内で800°C〜500°Cの温度域を200分以上滞在させることによっても同じ効果が得られる。この方法で得られるシリコンウェーハ及びシリコン単結晶から切り出されたシリコンウェーハの無欠陥層形成熱処理を施された後のシリコンウェーハ表面には良好な無欠陥層が形成されている。

Claim (excerpt)：

チョクラルスキー法により製造されたシリコン単結晶を、さきに1200°C〜1400°Cで高温熱処理し、つづいて500°C〜800°Cの低温熱処理することを特徴とするシリコン単結晶の熱処理方法。

IPC (5)：

C30B 29/06 ,  C30B 15/00 ,  C30B 15/22 ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/208