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J-GLOBAL ID:200903064495568729

弾性表面波装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 高田 守
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992185229
Publication number (International publication number):1994029781
Application date: Jul. 13, 1992
Publication date: Feb. 04, 1994
Summary:
【要約】【目的】 効率の高い弾性表面波装置を得る。【構成】 半導体基板の一方の側に形成された圧電体層と、それぞれから励振された弾性表面波が互いに逆向きに進行して伝搬するように上記圧電体層上に対向させて設けられた少なくとも一対の入力トランスデューサと、上記圧電体層上の上記弾性表面波が互いに逆向きに進行して伝搬する領域に設けられた出力ゲート電極と、上記半導体基板の他方の側の面上に設けられた接地電極とを備えた弾性表面波装置において、上記半導体基板の上記出力ゲート電極を設けた領域に対応する位置の厚さを他の部分より少なくとも薄くし、半導体基板のバルク抵抗を下げた。
Claim (excerpt):
半導体基板の一方の側に形成された圧電体層と、それぞれから励振された弾性表面波が互いに逆向きに進行して伝搬するように上記圧電体層上に対向させて設けられた少なくとも一対の入力トランスデューサと、上記圧電体層上の上記弾性表面波が互いに逆向きに進行して伝搬する領域に設けられた出力ゲート電極と、上記半導体基板の他方の側の面上に設けられた接地電極とを備えた弾性表面波装置において、上記半導体基板の上記出力ゲート電極を設けた領域に対応する位置の厚さを他の部分より少なくとも薄くし、半導体基板のバルク抵抗を下げたことを特徴とする弾性表面波装置。
IPC (3):
H03H 9/72 ,  H03H 9/25 ,  H03H 9/76

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