Pat

J-GLOBAL ID：200903064497705685

磁気抵抗読取りトランスジューサ

Inventor： ジェームズ・ケント・ハワード ,  チャーニー・ウォン ,  ジェームズ・シ-タン・リー
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 頓宮 孝一 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992329219
Publication number (International publication number)：1993258246
Application date： Dec. 09, 1992
Publication date： Oct. 08, 1993
Summary：

【要約】【構成】 磁気抵抗(MR)センサ31は、MR素子と離隔した位置に於いて電気的に接触する導電リード構造38^、41^を持つ。リード構造は、ルテニウム、イリジウム、またはロジウムの薄膜より成り、主電流キャリアとして機能する。主電流キャリアの接着層として、薄膜上層49または薄膜下層48と上層49の両方が利用できる。上層と下層は両方とも、TiとTaのグループより選定された物質で形成される。【効果】 リード構造は抵抗率が低く耐食性に優れる。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された磁気抵抗物質の層と、上記磁気抵抗物質の層と離隔した位置に於いて電気的に接触する複数の導電リード構造であり、各々が、ルテニウム、イリジウム、及びロジウムのグループより選定された物質の層より成り、よって、上記導電リード構造のうちの2つの間に信号出力手段が接続される時に、上記磁気抵抗物質の層によって捕捉される磁界に応答する上記磁気抵抗物質の抵抗変化が検出されるものとを含む、磁気センサ。