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J-GLOBAL ID：200903064503848698

レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： 武田 隆信 ,  渡辺 修 ,  平原 和弘 ,  前田 和規 ,  草木 渉 ,  名倉 茂広
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (1)： 小島 隆司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000245617
Publication number (International publication number)：2002062652
Application date： Aug. 14, 2000
Publication date： Feb. 28, 2002
Summary：

【要約】【解決手段】 式(1)で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が1,000〜500,000である高分子化合物を含むレジスト材料。【化1】(R1、R2、R3は水素原子又はメチル基を示す。Zは炭素数2〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基を示す。R4は水素原子、炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は酸素原子を含む炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R5は炭素数5〜20の3級アルキル基を示す。p、q、rは正数であり、p+q+r=1を満足する数である。)【効果】 本発明のレジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高感度で高解像性を有し、露光後のパターン形状が良好であり、優れたエッチング耐性やプロセス適応性を有する、化学増幅ポジ型レジスト材料として好適である。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が1,000〜500,000である高分子化合物を含むことを特徴とするレジスト材料。【化1】(式中、R1、R2、R3は水素原子又はメチル基を示す。また、Zは炭素数2〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基を示す。R4は水素原子、炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は酸素原子を含む炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R5は炭素数5〜20の3級アルキル基を示す。p、q、rは正数であり、p+q+r=1を満足する数である。)

IPC (8)：

G03F 7/039 601 ,  C08F 12/14 ,  C08F 20/12 ,  C08F 20/30 ,  C08K 5/00 ,  C08L 33/04 ,  G03F 7/004 501 ,  H01L 21/027

FI (8)：

G03F 7/039 601 ,  C08F 12/14 ,  C08F 20/12 ,  C08F 20/30 ,  C08K 5/00 ,  C08L 33/04 ,  G03F 7/004 501 ,  H01L 21/30 502 R

F-Term (40)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025FA01 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J002BC121 ,  4J002BG071 ,  4J002EJ017 ,  4J002EV006 ,  4J002EV236 ,  4J002EV246 ,  4J002EV296 ,  4J002FD206 ,  4J002FD207 ,  4J002GP03 ,  4J100AB07P ,  4J100AL02R ,  4J100AL08Q ,  4J100BA03P ,  4J100BA04Q ,  4J100BA05Q ,  4J100BA06Q ,  4J100BC04Q ,  4J100BC43Q ,  4J100CA03 ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100JA38