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J-GLOBAL ID：200903064504199758

汚染帯水層の浄化方法および浄化装置

Inventor： 下村 達夫 ,  長谷川 武
Applicant, Patent owner： 株式会社荏原製作所
Agent (1)： 萩野 平 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997053586
Publication number (International publication number)：1998249326
Application date： Mar. 07, 1997
Publication date： Sep. 22, 1998
Summary：

【要約】【課題】 油、溶剤等によって汚染された帯水層を浄化すること、特に帯水層中の原位置での浄化処理により効率的でかつ経済的に処理する方法を提供する。【解決手段】 汚染された帯水層に井戸を設置し、前記井戸の前記帯水層の位置にストレーナを配置し、前記井戸の上部にガス吸引配管を設置しかつ井戸管頭を密閉し、地下水位以深の井戸内に散気装置を配置し、まずガス吸引配管により井戸内のガスを吸引して井戸内の圧力を下げ井戸内の水位を上昇させ、ついでガス吸引を停止した後、井戸内に散気装置よりガス状基質を曝気供給して井戸内の地下水に溶解させ、かつ井戸内の圧力を上昇させることにより井戸内の水位を低下させ、前記ガス吸引とガス状基質供給の操作を繰り返すことにより、帯水層の土壌及び地下水を原位置で清浄化することを特徴とする汚染帯水層の浄化方法、及び浄化装置。

Claim (excerpt)：

汚染された帯水層を浄化する方法において、汚染された帯水層に井戸を設置し、前記井戸の前記帯水層の位置にストレーナを配置し、前記井戸の上部にガス吸引配管を設置しかつ井戸管頭を密閉し、地下水位以深の井戸内に散気装置を配置し、まずガス吸引配管により井戸内のガスを吸引して井戸内の圧力を下げ井戸内の水位を上昇させ、ついでガス吸引を停止した後、井戸内に散気装置よりガス状基質を曝気供給して井戸内の地下水に溶解させ、かつ井戸内の圧力を上昇させることにより井戸内の水位を低下させ、前記ガス吸引とガス状基質供給の操作を繰り返すことにより、帯水層の土壌及び地下水を原位置で清浄化することを特徴とする汚染帯水層の浄化方法。

IPC (2)：

B09C 1/10 ZAB ,  C02F 3/06 ZAB

FI (2)：

B09B 3/00 ZAB E ,  C02F 3/06 ZAB