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J-GLOBAL ID：200903064510160456

真空浸炭方法および装置ならびに浸炭処理製品

Inventor： 久保田 健
Applicant, Patent owner： 株式会社日本ヘイズ
Agent (1)： 柳田 征史 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996067937
Publication number (International publication number)：1996325701
Application date： Mar. 25, 1996
Publication date： Dec. 10, 1996
Summary：

【要約】【課題】 真空浸炭方法において、煤の発生を抑えて、深い凹部の内壁面を含めてワークの各部を均一に浸炭することができるようにするとともに、使用するガス量や熱量の節減を可能にする。【解決手段】 真空浸炭炉1の加熱室2内で、ワークMを真空加熱するとともに加熱室2内に浸炭ガス源Cからアセチレンガスを供給し、真空排気源Vにより加熱室2内を1kPa 以下の真空状態にして浸炭処理を行なう。

Claim (excerpt)：

鋼材よりなるワークを、真空浸炭炉の加熱室内で真空加熱するとともに、該加熱室内に浸炭用ガスを供給して浸炭処理を行なう真空浸炭方法であって、前記浸炭用ガスとしてガス状の鎖式不飽和炭化水素を使用するとともに、前記加熱室内を1kPa 以下の真空状態として浸炭処理を行なうことを特徴とする真空浸炭方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特公昭53-035544
  
• 特公昭59-017168