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J-GLOBAL ID：200903064523698480

面発光型半導体レーザ装置

Inventor： 中野 好典
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 吉田 精孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992294301
Publication number (International publication number)：1994152047
Application date： Nov. 02, 1992
Publication date： May. 31, 1994
Summary：

【要約】【目的】 歩溜りの悪いDBRを必要とせず、しかも微小サイズ化が期待できる面発光型半導体レーザ装置を提供する。【構成】 円形もしくは多角形状のヘテロ接合を形成する活性層8と、該活性層8の上下に設けられた円形もしくは多角形状の上部クラッド層7及び下部クラッド層9とを有し、前記上部クラッド層7の周辺部に沿って光共振器が形成されている半導体レーザ装置において、前記上部クラッド層7の表面に該上部クラッド層7の周辺部に対して垂直な方向に2次の回折格子2を形成することにより、基板3に対して垂直な方向にレーザ光を出射可能とする。

Claim (excerpt)：

円形もしくは多角形状のヘテロ接合を形成する活性層と、該活性層の上下に設けられた円形もしくは多角形状の上部クラッド層及び下部クラッド層とを有し、前記上部クラッド層の周辺部に沿って光共振器が形成されている半導体レーザ装置において、前記上部クラッド層の表面に該上部クラッド層の周辺部に対して垂直な方向に2次の回折格子を形成したことを特徴とする面発光型半導体レーザ装置。