Pat

J-GLOBAL ID：200903064529340242

真空容器内の加熱方法及び加熱機構

Inventor： 枇榔 竜二 ,  安藤 謙二 ,  鈴木 康之
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996044883
Publication number (International publication number)：1997234358
Application date： Mar. 01, 1996
Publication date： Sep. 09, 1997
Summary：

【要約】【課題】 被加熱体の動作を制約することなく、不純物ガスの脱離効果に優れた、消費エネルギーの少ない真空容器の加熱方法及びそのための機構を提供する。【解決手段】 プラズマにより処理を行う真空容器において、少なくとも1つの電気的に接地された導電体と、該導電体に対峙する少なくとも1つの電気的に浮遊する導電体との間に二次的にプラズマを発生させて加熱を行う。

Claim (excerpt)：

希薄気体の存在下、電力が印加可能な電極に高周波電力を印加あるいはマイクロ波を導入して容器内にプラズマを発生させて処理する真空容器において、少なくとも1つの電気的に接地された導電体と、該導電体に対峙する少なくとも1つの電気的に浮遊する導電体とを設けて、前記少なくとも一対の導電体間に二次的に発生するプラズマにより加熱する真空容器内の加熱方法。

IPC (5)：

B01J 3/00 ,  B01J 19/08 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (5)：

B01J 3/00 M ,  B01J 19/08 H ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B