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J-GLOBAL ID：200903064538652265
半導体レーザ装置およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井出 直孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993333325
Publication number (International publication number)：1995193315
Application date： Dec. 27, 1993
Publication date： Jul. 28, 1995
Summary：
【要約】【目的】 熱応力により生じるチップ・クラックを抑え、放熱性を高めて信頼性および性能を向上させる。【構成】 半導体素子1の半導体基板6側に凹凸5を形成し、半導体素子1とヒートシンク4との熱膨張率の違いにより発生する熱応力を緩和させる。【効果】 チップ・クラックの発生が防止されるとともに、熱放熱性がよくなるために飽和光出力を向上させることができる。
Claim (excerpt)：
板状の半導体基板の一方の面に寄せて活性層が形成された半導体素子をソルダを介してヒートシンクに取付けた半導体レーザ装置において、前記半導体基板の他方の面に凹凸が形成され、前記一方の面が前記ソルダに接することを特徴とする半導体レーザ装置。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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