参照メモリ・アレイを有する磁気ランダム・アクセス・メモリ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：本城雅則 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000590174
Publication number (International publication number)：2002533863
Application date： Dec. 13, 1999
Publication date： Oct. 08, 2002
Summary：

【要約】MRAM装置(4)は、メモリ・アレイおよび参照メモリ・アレイ(75)を含む。メモリ・アレイは、情報を格納するために、列および行に磁気メモリ・セル(41,42)を配置し、参照メモリ・アレイは、列線内に参照情報を保持するために参照メモリ・セル(70,71)を形成する。磁気メモリ・セルは、セル内の磁気状態により最大抵抗(R+ΔR)および最小抵抗(R)を有する。各参照メモリ・セルは、磁気メモリ・セル(70,71)およびトランジスタ(72,73)を有し、それらは直列に結合され、参照メモリ・セルおよびトランジスタの両端に参照抵抗を有する。トランジスタは、参照列線制御(74)により制御され、これにより参照抵抗は、磁気メモリ・セルの最大抵抗と最小抵抗の間の中間値を示す。ビット線電流(Ib)と参照ビット線電流(Ir)とは、それぞれ磁気メモリ・セルと参照メモリ・セルとに提供される。磁気状態は、ビット線電流に変換され、それが参照ビット電流と比較されて出力される。

Claim (excerpt)：

第1導電線と、前記第1導電線と直列に結合された磁気メモリ・セルであって、前記磁気メモリ・セルに格納された磁気ベクトルの方向により最小磁気抵抗と最大磁気抵抗の間で切り替わる磁気抵抗を有する、前記磁気メモリ・セルと、第2導電線と、前記第2導電線と直列に結合された参照磁気メモリ・セルであって、予め決められた磁気抵抗を有する、前記参照磁気メモリ・セルと、前記参照磁気メモリ・セルと直列に結合された抵抗性要素であって、前記参照磁気メモリ・セルと前記抵抗性要素との両端の全抵抗が、前記最小磁気抵抗と前記最大磁気抵抗との間で設定されている、前記抵抗性要素と、から構成されることを特徴とする磁気ランダム・アクセス・メモリ。

IPC (4)：

G11C 11/14 , G11C 11/15 , H01L 27/105 , H01L 43/08

FI (4)：

G11C 11/14 Z , G11C 11/15 , H01L 43/08 Z , H01L 27/10 447

F-Term (6)：

5F083FZ10 , 5F083GA01 , 5F083GA05 , 5F083GA09 , 5F083GA11 , 5F083LA10

Return to Previous Page