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J-GLOBAL ID：200903064545494837

ガラス基板および加熱処理方法

Inventor： 深田 武 ,  坂間 光範 ,  寺本 聡
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993279029
Publication number (International publication number)：1995109573
Application date： Oct. 12, 1993
Publication date： Apr. 25, 1995
Summary：

【要約】【目的】 ガラス基板の熱処理(成膜、結晶成長、酸化等で、特にガラス基板の歪み点付近もしくはそれ以上の温度でおこなわれる場合)工程において、良好な基板処理手段・方法を提供する。また、発熱する素子が形成されても良好な放熱性を有するガラス基板を提供する。【構成】 ガラス基板の表面に窒化アルミニューム膜を形成する。この窒化アルミニューム膜は、ヒートシンクとして機能し、ガラス基板表面に形成される素子(例えばTFT)から発生られる熱が局所的に集中しないように機能する。

Claim (excerpt)：

歪点が550°C〜690°Cであるガラス基板の一方の面または両方の面に窒化アルミニュームを主成分とする被膜が形成されていることを特徴とするガラス基板。

IPC (3)：

C23C 16/34 ,  H01L 21/324 ,  H01L 29/786

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-080914
  
• 特開昭59-121876
  
• 特開昭62-105474
  
• 液晶表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-224490   Applicant：株式会社リコー