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J-GLOBAL ID：200903064555458499

半導体装置のケイ素酸化膜の製造法

Inventor： 寶地戸 雄幸 ,  二木 剛彦
Applicant, Patent owner： 株式会社高純度化学研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991361193
Publication number (International publication number)：1993175132
Application date： Dec. 20, 1991
Publication date： Jul. 13, 1993
Summary：

【要約】【目的】 触媒ガスを用いて反応速度を高め、かつ、平坦化性に優れた半導体装置のケイ素酸化膜の製造法を提供することを目的とする。【構成】 半導体装置用のSiO2膜をプラズマCVD法あるいはオゾンCVD法で形成する場合、アルコキシシランと0.01〜10%の範囲の水蒸気と触媒ガスを用いる。触媒ガスはF2,Cl2,Br2のようなハロゲン、あるいはClFのようなハロゲン間化合物、あるいはHF,HCl,HBrのようなハロゲン化水素、あるいはHClO,HClO2,HClO3のようなハロゲンオキシ酸、あるいはCCl4,CF4のようなハロゲン化炭素、あるいはSiH4,H2SiF6のようなフッ化ケイ素及びその酸、あるいはN2O,NO,NO2,N2O5,HNO3のような窒素酸化物及びその酸、あるいはP2O3,P2O5,H3PO4のような酸化リン及びその酸、あるいはHCOOH,CH3COOHのような有機酸である。

Claim (excerpt)：

半導体装置用のSiO2膜をプラズマCVD法あるいはオゾンCVD法で形成する場合、アルコキシシランと0.01〜10%の範囲の水蒸気と触媒ガスを用いることを特徴とする半導体装置のケイ素酸化膜の製造法。