ダイヤモンド装置及び多結晶ダイヤモンド層の形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤巻正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996138479
Publication number (International publication number)：1997020589
Application date： May. 31, 1996
Publication date： Jan. 21, 1997
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】表面の電気特性が単結晶ダイヤモンドと近い多結晶ダイヤモンド層を形成でき、化学研磨及び機械研磨を必要としない表面の滑らかなダイヤモンド層の形成でき、バルク欠陥がない多結晶ダイヤモンドの薄膜及び厚膜の形成法を提供する。【解決手段】複数のダイヤモンド結晶核生成サイトを基板上に形成し、そのサイトにダイヤモンド層を成長させ、{100}面と{111}面を有するダイヤモンド層を連続的に形成する。この成長工程においては、核生成サイトの{111}面に対して垂直な方向の成長に比して{100}面に垂直な方向の成長を優先させる第1成長パラメータと、{111}面の成長に比して{100}面の成長を優先させる第2成長パラメータを順番に繰り返して実施する。所望の厚さの大面積{100}共角面を有するダイヤモンド層が得られるまでこの工程を繰り返す。

Claim (excerpt)：

(a)基板上に複数のダイヤモンド結晶核生成サイトを形成する工程と、(b)前記結晶核生成サイト上に、露出表面に{100}、{111}面を有する第1ダイヤモンド層を、各{111}面に垂直の方向におけるダイヤモンドの成長に比して{100}面に垂直の方向におけるダイヤモンドの成長を優先させる第1成長パラメータを使用して、成長させる工程と、(c)前記第1ダイヤモンド層の露出表面をエッチングしてダイヤモンド層からバルク欠陥を除去する工程と、(d)エッチング処理をした前記第1ダイヤモンド層の上に、露出表面に{100}、{111}面を有する第2ダイヤモンド層を、各{111}面の成長に比して各{100}面の成長を優先させる第2成長パラメータを使用して、成長させ、この場合に、第1ダイヤモンド層形成工程の間の各{111}面に垂直な方向におけるダイヤモンドの成長速度に対する各{100}面に垂直な方向におけるダイヤモンドの成長速度の比が、第2ダイヤモンド層形成工程の間の各{111}面に垂直な方向におけるダイヤモンドの成長速度に対する各{100}面に垂直な方向におけるダイヤモンドの成長速度の比よりも大きくなるようにする工程と、(e)工程(b)(c)(d)を順番に少なくとも1回繰り返すことにより、複数の第1及び第2ダイヤモンド層を交互に有する多結晶ダイヤモンド層を得る工程と、を有することを特徴とする多結晶ダイヤモンド層の形成方法。

IPC (6)：

C30B 29/04 , C30B 29/68 , C30B 33/08 , H01L 21/20 , H01L 21/205 , C23C 16/26

FI (7)：

C30B 29/04 P , C30B 29/04 Q , C30B 29/68 , C30B 33/08 , H01L 21/20 , H01L 21/205 , C23C 16/26

Return to Previous Page