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J-GLOBAL ID：200903064567040180

半導体基板の酸化装置及びその方法

Inventor： 石川 豊
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社 ,  石川 豊
Agent (1)： 志賀 正武 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992071669
Publication number (International publication number)：1993275419
Application date： Mar. 27, 1992
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：

【要約】【構成】 筒状の反応管2と、この反応管2の上流側に設けられたガス導入部8と、反応管2の図中下方から、内部に配される半導体基板1を加熱するための加熱装置4と、上記反応管2の外部にあって、上記ガス導入部8の位置より下流側かつ半導体基板1の位置より上流側に設けられた紫外線照射装置5とを有する。【効果】 酸素ガスのみならず水蒸気ガスをも導入するので、500°C程度の低温でも酸化膜厚を厚く形成することができる。また遠紫外線を基板表面ではなく、基板の上流側に照射するので、電気的特性にも優れた均質な酸化膜を形成することが可能である。

Claim (excerpt)：

半導体基板が配されると共に、上流側から下流側に向かって酸素ガス及び水蒸気ガスが導入される反応管と、この反応管の上流側に設けられた酸素ガス導入部及び水蒸気ガス導入部と、上記半導体基板を加熱するための加熱装置と、上記反応管の外部又は内部にあって、上記酸素ガス導入部及び水蒸気ガス導入部の位置より下流側かつ半導体基板の位置より上流側に設けられた紫外線照射装置とを設けることを特徴とする半導体基板の酸化装置。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/324

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-154524
  
• 特開昭60-017148
  
• 特開昭63-162508