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J-GLOBAL ID：200903064578792310

磁気抵抗効果素子とこれを用いた磁気ヘッドおよび磁気メモリならびに磁気記録装置

Inventor： 杉田 康成 ,  松川 望 ,  小田川 明弘 ,  川島 良男 ,  里見 三男
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002119829
Publication number (International publication number)：2003318461
Application date： Apr. 22, 2002
Publication date： Nov. 07, 2003
Summary：

【要約】【課題】自由磁性層/非磁性層/固定磁性層の積層構造を基本構造として含む磁気抵抗効果素子(MR素子)において、高温の熱処理プロセスおよびヒートサイクルなどに対応した耐熱性に優れた高出力のMR素子を提供する。また、耐熱性に優れた磁気ヘッドおよび磁気メモリ(MRAM)、ならびに磁気記録装置を提供する。【解決手段】一対の磁性膜101および102が非磁性膜110を介して積層されており、かつ、磁性膜101と磁性膜102とが強磁性的に結合している積層構造を固定磁性層1が含むことで、耐熱性に優れたMR素子を提供することができる。また、上記MR素子を用いることで、耐熱性に優れた磁気ヘッドおよびMRAM、ならびに磁気記録装置を提供することができる。

Claim (excerpt)：

非磁性層を介して、固定磁性層と、前記固定磁性層よりも磁化方向が相対的に回転しやすい自由磁性層とが積層された多層構造を含み、双方の前記磁性層が持つ磁化方向の相対角度により抵抗値が異なる磁気抵抗効果素子であって、前記固定磁性層が、非磁性膜と、前記非磁性膜を狭持する一対の磁性膜とを含み、前記一対の磁性膜が、前記非磁性膜を介して互いに強磁性的に結合していることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (7)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/15 112 ,  H01F 10/12 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/105

FI (7)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/15 112 ,  H01F 10/12 ,  H01F 10/32 ,  G01R 33/06 R ,  H01L 27/10 447

F-Term (19)：

2G017AA10 ,  2G017AD55 ,  5D034BA02 ,  5D034BA04 ,  5D034CA00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5E049BA12 ,  5E049DB12 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA27 ,  5F083JA02 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA28