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J-GLOBAL ID：200903064580907257

帯域通過濾波器及び帯域通過濾波器の通過帯域幅調整方法

Inventor：
服部 渉

About 服部 渉


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 鈴木 康夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999254882
Publication number (International publication number)：2001077604
Application date： Sep. 08, 1999
Publication date： Mar. 23, 2001
Summary：
【要約】【課題】 狭帯域通過特性の劣化の少ない高温超伝導体膜を用いた帯域通過濾波器を提供する。【解決手段】 誘電体基板両面に形成した高温超伝導体膜をストリップ導体及び接地導体として用いたマイクロストリップ線路共振器を複数個形成する。この誘電体基板を接地導体面が金属筐体内壁に接地されるように設置した筐体内壁と対向する筐体内壁を高周波接地した高温超伝導体膜により形成する。筐体内壁の内、広い面積を占める接地導体部分と対向する筐体内壁を高温超伝導体膜により覆うことにより筐体内壁において常伝導体が占める領域を狭め、常伝導体の金属筐体内壁による濾波器の狭帯域通過特性の劣化を低減する。また、高周波接地した高温超伝導体膜と濾波器表面との間隙を調整することにより複数存在する共振器間を結合させる電磁界の量を調整して共振器間の結合係数を調整し、通過帯域幅を調整する。
Claim (excerpt)：
ストリップ導体及び接地導体が高温超伝導体膜により形成された複数のマイクロストリップ線路共振器を有する誘電体基板と、内壁面に前記接地導体面が接地されるようにして前記誘電体基板が設置された金属筐体とを有する帯域通過濾波器において、前記金属筐体は常伝導体によって構成されており、かつ、前記金属筐体の前記誘電体基板が設置されている内壁面と対向する内壁面にのみ接地された高温超伝導体膜が形成されていることを特徴とする帯域通過濾波器。
IPC (2)：
H01P 1/203 ZAA ,  H01L 39/00 ZAA
FI (2)：
H01P 1/203 ZAA ,  H01L 39/00 ZAA Z
F-Term (21)：
4M113AC44 ,  4M113AD37 ,  4M113AD42 ,  4M113AD51 ,  4M113CA34 ,  5J006HB03 ,  5J006HB12 ,  5J006HB14 ,  5J006JA01 ,  5J006LA02 ,  5J006LA06 ,  5J006LA11 ,  5J006LA25 ,  5J006NA03 ,  5J006NA08 ,  5J006NB10 ,  5J006NE11 ,  5J006NE13 ,  5J006PA01 ,  5J006PA03 ,  5J006PA10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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