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J-GLOBAL ID:200903064584211818
赤外線センサ
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991307756
Publication number (International publication number):1993142039
Application date: Nov. 22, 1991
Publication date: Jun. 08, 1993
Summary:
【要約】【目的】 自己発熱が小さく、赤外線検出感度や最小検出能が劣化することのない赤外線センサを提供することを目的とする。【構成】 半導体基板11に照射された赤外線は赤外線吸収膜19に効率良く吸収される。この時、受光領域の半導体基板11の裏面は薄層化されているため、吸収された赤外線の熱エネルギは逃げにくい。赤外線吸収膜19の温度はこの熱エネルギによって上昇し、この温度上昇は受光領域の中心付近に設けられたセンサ用ダイオードDF に伝えられる。センサ用ダイオードDF には定電流ダイオードDR から絶対値の小さな定電流が供給されており、ダイオードDF の通電電流は赤外線照射による温度上昇に対応して変化する。
Claim (excerpt):
赤外線照射に基づく温度変化に応じて通電電流が変化する順バイアスされた第1のダイオードと、この第1のダイオードに定電流を供給するこの第1のダイオードに直列に接続され逆バイアスされた第2のダイオードとを備えて構成されたことを特徴とする赤外線センサ。
IPC (3):
G01J 1/02
, G01J 1/04
, G01J 1/44
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