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J-GLOBAL ID：200903064593423437
半導体発光素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
本庄 伸介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991296165
Publication number (International publication number)：1993110132
Application date： Oct. 15, 1991
Publication date： Apr. 30, 1993
Summary：
【要約】【目的】 希土類をドープした半導体発光素子の量子効率を向上する。【構成】 基板に(111)面21を用い、且つ希土類をドープした発光層23に歪を導入する。【効果】 (111)面上に歪層を積層することによりピエゾ電気効果が生じ、内部電界が発生する。この電界により注入されたキャリアは加速され、大幅な量子効率の増大が可能となる。
Claim (excerpt)：
基板面方位が(111)面である半導体基板上に、導電型の異なる半導体層に挟まれた化合物半導体発光部を有してなる半導体発光素子において、該半導体発光部に希土類イオンがドーピングされ、且つ該半導体発光部に歪が導入されていることを特徴とする半導体発光素子。
Patent cited by the Patent：
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