Pat

J-GLOBAL ID：200903064595782477

薄膜トランジスタ及びその製造方法

Inventor： 高原 研一
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991294475
Publication number (International publication number)：1993136414
Application date： Nov. 11, 1991
Publication date： Jun. 01, 1993
Summary：

【要約】【目的】 能動領域が薄く、ソース及びドレイン領域が厚く、かつ能動領域とソース及びドレイン領域との接合欠陥をなくすことによって、高速化・高性能化・低消費電力化・微細化・高集積化が可能な薄膜トランジスタを構成する。。【構成】 基板上に半導体層を積層し、窒化珪素膜層を積層・パターニングした後、窒化珪素膜層の開孔部の半導体層を熱酸化させ、窒化珪素膜層を除去した後、熱酸化膜をマスクとして不純物イオンを導入し、ソース及びドレイン領域と薄い不純物領域と能動領域を形成した後、熱酸化膜を除去し、ゲート絶縁膜とゲート電極を形成する。

Claim (excerpt)：

ソース及びドレイン領域と能動領域とゲート絶縁膜とゲート電極とを有する薄膜トランジスタに於て、ソース及びドレイン領域と能動領域が同一の層からなり、かつ能動領域の膜厚がソース及びドレイン領域の膜厚より薄いことを特徴とする薄膜トランジスタ。