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J-GLOBAL ID：200903064605384920
MOSイメージ・センサ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
岡部 正夫 (外11名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998171971
Publication number (International publication number)：1999103044
Application date： Jun. 19, 1998
Publication date： Apr. 13, 1999
Summary：
【要約】【課題】 短波長の光に対する量子効率を改善する。【解決手段】 ホトダイオードを採用することによって、センスされた光の少なくとも一部はポリシリコンの層を通過せず、したがって、そのポリシリコンによってセンシング領域に達することを妨害されない。本発明のイメージ・センサ回路は標準のCMOSプロセス技術で容易に利用できるデバイス構造から作られている。本発明を具体化しているイメージ・センサは、従来技術のセンサに比べて短波長の光に対する量子効率が大幅に改善されているので有利である。さらに、本発明を具体化しているイメージ・センサは暗電流の一様性が改善されており、したがって、歩留まりが改善される。
Claim (excerpt)：
イメージ・センサ回路であって、第1および第2の端子を備えている第1のホトダイオードと、前記第1のホトダイオード上に入射する光によって発生する電荷を収集するために、前記第1のホトダイオードの前記第1の端子にドレインが結合されている、第1の金属酸化物半導体(MOS)トランジスタと、前記第1のホトダイオードの前記第1の端子と、前記第1のMOSトランジスタの前記ドレインとにソースが結合されている第2のMOSトランジスタと、端子が前記第2のトランジスタのドレインに結合されているコンデンサと、前記第2のトランジスタの前記ドレインにソースが結合されている第3のMOSトランジスタとを含み、前記第1のMOSトランジスタの中に収集される前記電荷が前記第2のMOSトランジスタを通して転送され、前記コンデンサによって電圧に変換されるイメージ・センサ回路。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 27/14 A
, H04N 5/335 E
