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J-GLOBAL ID：200903064608591650
半導体受光器及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
吉田 精孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995048612
Publication number (International publication number)：1996250760
Application date： Mar. 08, 1995
Publication date： Sep. 27, 1996
Summary：
【要約】【目的】 暗電流が少なく信頼性の高い半導体受光器及びその製造方法を提供する。【構成】 半導体受光器を構成するpn接合のp型半導体層18をn-InP層15中に選択的に形成することにより、pn接合部分が直接、外部にさらされないようにしてpn接合部分へのダメージや汚染等を抑制し、これらが原因となって引き起こされる暗電流の増加を低減し、さらにpn接合の側面をn-InP層15によって囲まれた構造とすることにより信頼性を向上する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に形成されたpn接合を有する半導体受光器において、n型半導体中に選択的に形成され、p層の少なくとも3方向の側面がn型半導体で囲まれたことを特徴とする半導体受光器。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 31/10 A
, H01L 27/14 A
Cited by examiner (6)
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