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J-GLOBAL ID：200903064613389273

半導体膜の作製装置及びその作製方法

Inventor： 越前 裕 ,  山口 裕人
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994213082
Publication number (International publication number)：1996078341
Application date： Sep. 06, 1994
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】 放電の安定性が高い半導体膜の作製装置及びその作製方法を提供する。【構成】 半導体膜の作製装置において、該成膜室の側壁にはマイクロ波導入窓を、該マイクロ波導入窓にはマイクロ波透過性部材を、該マイクロ波透過性部材の周囲には密着させた冷却手段を、該冷却手段の周囲のうち少なくとも成膜室内部に露出した全ての部分には密着配置した断熱部材を設けた。また、半導体膜の作製方法において、マイクロ波を導入するために用いるマイクロ波透過性部材の表面のうち、プラズマに晒される部分の表面温度を、冷却手段により前記半導体膜の結晶化温度より低く維持し、かつ、前記冷却手段の影響を遮断する断熱構造体を、前記マイクロ波透過性部材に密着配置して、加熱手段により前記マイクロ波透過性部材以外の成膜室の内壁面温度T°Cを、100°C≦T≦[基板の成膜温度]の範囲で維持する。

Claim (excerpt)：

マイクロ波プラズマCVD法を用いた、真空容器と該真空容器に内蔵した成膜室からなる二重チャンバー方式である半導体膜の作製装置において、該成膜室の側壁にはマイクロ波導入窓を、該マイクロ波導入窓にはマイクロ波透過性部材を、該マイクロ波透過性部材の周囲には密着させた冷却手段を、該冷却手段の周囲のうち少なくとも成膜室内部に露出した全ての部分には密着配置した断熱部材を設けたことを特徴とする半導体膜の作製装置。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46