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J-GLOBAL ID：200903064618464320

半導体加速度センサの製造方法

Inventor： 新荻 正隆 ,  斉藤 豊 ,  加藤 健二
Applicant, Patent owner： 株式会社エスアイアイ・アールディセンター
Agent (1)： 林 敬之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997035313
Publication number (International publication number)：1998004199
Application date： Feb. 19, 1997
Publication date： Jan. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】 ウェハー1枚あたり多数の半導体加速度センサーを製造する方法を提供する。【解決手段】 1枚の半導体ウェハーから多数のセンサを製造するために、センサの側面に拡散抵抗を配置した。そして、このようにセンサ側面に変位量の検出手段を設ける構成で、エッチング工程を使用せず、ダイシングを用いる製造方法で、半導体ウェハーの固定に冷凍する手段を用いることにより高精度のセンサを提供することができるようにした。

Claim (excerpt)：

半導体ウェハーの表面に感歪部を形成する工程、前記半導体ウェハーを冷却した冷却台に固定する工程、前記半導体ウェハーから感歪部を有する直方体の構造体を切り出す工程、支持体と前記半導体ウェハーより切り出した直方体の構造体を接合する工程、からなる半導体加速度センサの製造方法。

IPC (3)：

H01L 29/84 ,  G01P 15/12 ,  H01L 21/301

FI (4)：

H01L 29/84 A ,  G01P 15/12 ,  H01L 21/78 M ,  H01L 21/78 N