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J-GLOBAL ID：200903064629732911

半導体装置の製造パラメタの設定方法及びその装置

Inventor： 藤永 正人
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992096215
Publication number (International publication number)：1993291102
Application date： Apr. 16, 1992
Publication date： Nov. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置の製造プロセスの諸パラメタを適切に設定する。【構成】 所定の半導体装置のしきい値を得るために必要な諸パラメタを予め仮に設定し、シミュレーションを行って計算上でしきい値を求め、これが所定の値であるか否かを判定する。所定の値になるまで諸パラメタを新たに設定しなおし続ける。シミュレーションにおいては、半導体装置を微小領域(セル)に分割し、それぞれの隣接する界面に厚さを持った境界領域を設定する。【効果】 不純物濃度を精度良く求めることができる。

Claim (excerpt)：

(a)半導体装置の製造プロセスの複数のパラメタを与える工程と、(b)前記パラメタを用いて、前記半導体装置中の位置zの関数である、前記半導体装置の不純物濃度Cを求める工程と、(c)前記不純物濃度Cが所定の値にあるか否かの判定を行う工程と、(d)前記判定が「否」であれば、前記パラメタを与えなおし、前記判定が「諾」となるまで前記工程(b)乃至(c)を繰り返す工程と、(e)前記判定が「諾」となった場合における前記パラメタを、前記半導体装置の製造パラメタとして設定する工程と、を備え、前記工程(b)において、隣接する第1及び第2の媒質の間には境界領域を設け、前記境界領域においては前記不純物濃度Cが前記位置zに対して連続的に変化するモデルを用いた計算が行われる、半導体装置の製造パラメタの設定方法。

IPC (2)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/22