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J-GLOBAL ID：200903064648136440

磁気記憶装置

Inventor： 土山 龍司 ,  三枝 省三
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995067585
Publication number (International publication number)：1996273318
Application date： Mar. 27, 1995
Publication date： Oct. 18, 1996
Summary：

【要約】【目的】コンタクトスライダのスペ-シング変動を低減し、コンタクト面が記録媒体面で安定な追従接触走行可能となる、媒体面うねり波長L(μm)、うねり振幅u0(nm)、走行方向のコンタクト面長さb(mm)、押付荷重F(gf)、周速v(m/s)の最適値及び高記録密度化、高信頼性化に優れた磁気記憶装置を提供する。【構成】fをうねり周波数(f=v/L)と表わし、u0、f、F、bを下記式の関係を満たすように設定する。【数4】

Claim (excerpt)：

磁気トランスデュ-サを搭載し、周速v(m/s)で走行する磁気記録媒体面に、追従接触走行するコンタクトスライダを備える磁気記憶装置において、前記コンタクトスライダの磁気記録媒体面との接触部の走行方向の接触面の長さをb(mm)、前記コンタクトスライダを磁気記録媒体に押し付け可能に支持する支持体の押し付け荷重をF(gf)、前記磁気記録媒体面のうねり波長をL(μm)、うねり振幅をu0(nm)とした時、前記周速v、長さb、押し付け荷重F、うねり波長L及びうねり振幅をu0を下記式を満たすように設定したことを特徴とする磁気記憶装置。ただし、fはうねり周波数(f=v/L)を表わす。【数1】

IPC (2)：

G11B 21/21 ,  G11B 5/60

FI (2)：

G11B 21/21 Z ,  G11B 5/60 Z