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J-GLOBAL ID：200903064656894230
半導体集積回路の配線構造体及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小杉 佳男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994054137
Publication number (International publication number)：1994333927
Application date： Mar. 24, 1994
Publication date： Dec. 02, 1994
Summary：
【要約】【目的】 低抵抗で高い耐エレクトロマイグレーション性を有すると共に、絶縁膜や基板への配線材料の原子の拡散を防止する半導体集積回路の配線構造体及びその製造方法を提供する。【構成】 シリコン基板10の上に絶縁膜12を形成し、この絶縁膜12の上にタングステン膜14を形成した。さらにこのタングステン膜14の表面にプラズマ照射して非晶質W-N膜16を形成し、この非晶質W-N膜16の上に銅配線20を形成した。
Claim (excerpt)：
Cu,Cu合金,Au,Au合金,Ag,Ag合金,およびAl-Cu合金から選ばれた金属からなる配線を備えた半導体集積回路の配線構造体において、窒化物、硼化物、及び炭化物から選ばれた金属化合物膜と金属膜とを重ねた少なくとも1つの積層からなるバリア層を、前記配線の下地及び/又は被覆として備えたことを特徴とする半導体集積回路の配線構造体。
IPC (2)：
H01L 21/3205
, H01L 21/203
H01L 21/88 R
, H01L 21/88 M
Cited by examiner (6)
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