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J-GLOBAL ID：200903064663001330
半導体装置の電鋳製リードフレームの製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
折寄 武士
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993142831
Publication number (International publication number)：1994334083
Application date： May. 20, 1993
Publication date： Dec. 02, 1994
Summary：
【要約】【目的】 ICやLSIなどの半導体装置のリードフレームの表面粗度の調整の容易化、剥離時のその変形防止を図る。【構成】 まず電鋳母型10の表面に第1電着層11を形成する。しかるのち第1電着層11の表面に第2電着層15を剥離可能に形成する。リードフレーム1に相当する第2電着層15の表面粗度は第1電着層形成用の浴の組成状態を調整することで容易に種々変更させることができる。第2電着層15を電鋳母型10から剥がす時は第1電着層11ごと剥がす。これによりリードフレーム1に相当する第2電着層15を変形させることなく剥がせる。
Claim (excerpt)：
電鋳母型10の表面に電鋳により第1電着層11を形成する工程と、第1電着層11の表面に、リードフレーム1のパターンに対応するフォトレジスト膜14を形成する工程と、第1電着層11のフォトレジスト膜14で覆われていない表面に電鋳により第2電着層15を形成する工程と、第2電着層15を第1電着層11から剥離する工程とからなる、半導体装置の電鋳製リードフレームの製造方法。
IPC (3)：
H01L 23/50
, C25D 1/08
, C25D 1/20
