p型III-V族窒化物半導体およびその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：滝本智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998163120
Publication number (International publication number)：1999354458
Application date： Jun. 11, 1998
Publication date： Dec. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】 Mg添加III-V族窒化物半導体結晶中の水素を排除し低抵抗のp型III-V族窒化物半導体を得る。【解決手段】 GaN基板1の上にアンドープGaN層2、Mg添加のGaN層3、Pd薄膜5を順次形成した後、GaN基板1を加熱処理炉に投入し、加熱温度を500°C以下にして、窒素ガス雰囲気中で30分加熱処理する。

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板の上に形成されたp型の導電性を有するIII-V族窒化物半導体と、前記III-V族窒化物半導体の上に形成された、水素を吸着する導電性物質よりなる薄膜とを有し、前記III-V族窒化物半導体はマグネシウムを含み、前記薄膜と前記III-V族窒化物半導体との間でオーミック特性を有することを特徴とするp型III-V族窒化物半導体。

IPC (2)：

H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (2)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

電極構造およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-167124 Applicant：シャープ株式会社
III族窒化物半導体発光素子製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-322992 Applicant：パイオニア株式会社
p伝導形3族窒化物半導体の電極及び電極形成方法及び素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-160886 Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所

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