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J-GLOBAL ID：200903064670452003

硅素化合物膜およびその形成方法

Inventor： 福山 俊一 ,  山口 城 ,  中田 義弘 ,  片山 倫子
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 石田 敬 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996062797
Publication number (International publication number)：1996321499
Application date： Mar. 19, 1996
Publication date： Dec. 03, 1996
Summary：

【要約】【課題】 半導体製造工程に用いられる熱処理工程で酸化や分解を生じず、吸湿性が低く、かつ、酸素プラズマ処理により酸化を受けることのない膜を形成することが可能であり、3.0以下の誘電率を実現できる材料を提供する。【解決手段】 下記一般式(1)、R1 x SiR24-x (1)〔上式中、R1 は炭素数1〜6のアルキル基を表し、R2 は水素原子または炭素数1〜3のアルコキシ基を表し、xは1〜3の整数である〕で表される有機シラン化合物とフッ素またはフッ素化合物とから誘導されたフッ素含有有機シラン化合物のガスを含む雰囲気中でプラズマCVDを行うことにより、フッ化炭素基含有硅素化合物からなり、3.0以下の誘電率を有する硅素化合物膜を得る。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)、R1 x SiR24-x (1)〔上式中、R1 は炭素数1〜6のアルキル基を表し、R2 は水素原子または炭素数1〜3のアルコキシ基を表し、xは1〜3の整数である〕で表される有機シラン化合物とフッ素またはフッ素化合物とから誘導されたフッ素含有有機シラン化合物のガスを含む雰囲気中でプラズマCVDを行うことにより得られたフッ化炭素基含有硅素化合物からなり、3.0以下の誘電率を有する硅素化合物膜。

IPC (5)：

H01L 21/314 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316

FI (5)：

H01L 21/314 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/302 C