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J-GLOBAL ID：200903064684749726

半導体素子の製造方法

Inventor： 小林 俊雅 ,  長沼 香
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 藤島 洋一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999115451
Publication number (International publication number)：2000307184
Application date： Apr. 22, 1999
Publication date： Nov. 02, 2000
Summary：

【要約】【課題】 半導体層と電極との密着性を向上させることができると共に、これらの間の接触抵抗の低減化を図ることが可能な半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】 蒸着法などにより絶縁層18を形成し、絶縁層18の全面にレジスト膜19を形成したのち、レジスト膜19にp側電極のパターンに応じた開口19aを形成する。このとき、開口19aにレジスト残渣が付着することがある。そのため、絶縁層18によりp側コンタクト層17を保護しつつ、酸素を用いてライトアッシング処理を行い、残渣を除去する。そののち、レジスト膜19をマスクとして、絶縁層18の開口18aおよびp側電極を自己整合的に形成する。p側コンタクト層17の表面に対するダメージを抑制することができ、また、p側コンタクト層17の清浄な表面上にp側電極を形成することができる。

Claim (excerpt)：

半導体層に接触した電極を有する半導体素子の製造方法であって、少なくとも前記半導体層の上面に、耐エッチング材料よりなる保護層を形成する工程と、前記保護層の上面にマスク層を形成した後、このマスク層に前記電極のパターンに応じた開口を形成する工程と、前記保護層により前記半導体層を保護しつつ、前記マスク層への開口形成時に生じ、開口の内部に付着している残渣を除去する工程と、前記マスク層を用いて、前記保護層のうちの前記開口に対応する領域を選択的に除去し、前記半導体層を選択的に露出させる工程と、前記半導体層の露出面上に、前記マスク層を用いて電極を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (8)：

H01S 5/028 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/042

FI (9)：

H01S 3/18 618 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 L ,  H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E ,  H01L 21/302 H ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 301 P ,  H01S 3/18 624

F-Term (76)：

4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD09 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD22 ,  4M104DD34 ,  4M104DD68 ,  4M104DD78 ,  4M104EE01 ,  4M104EE14 ,  4M104EE17 ,  4M104FF40 ,  4M104GG04 ,  4M104GG06 ,  4M104GG08 ,  4M104HH08 ,  4M104HH15 ,  5F004AA02 ,  5F004AA06 ,  5F004AA09 ,  5F004AA16 ,  5F004BB13 ,  5F004BD01 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004EA01 ,  5F040DA10 ,  5F040DC03 ,  5F040EC08 ,  5F040ED03 ,  5F040EH02 ,  5F040FA12 ,  5F041AA21 ,  5F041AA43 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA98 ,  5F041FF01 ,  5F041FF16 ,  5F045AA04 ,  5F045AA10 ,  5F045AA18 ,  5F045AA19 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045BB17 ,  5F045CA12 ,  5F045CB04 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045HA13 ,  5F045HA14 ,  5F073CA02 ,  5F073CA07 ,  5F073CB22 ,  5F073DA30 ,  5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体発光デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-034908   Applicant：株式会社東芝
• 特開昭53-147468