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J-GLOBAL ID：200903064687088275

半導体薄膜形成用前駆体及び半導体薄膜の製造方法

Inventor： 根上 卓之 ,  西谷 幹彦 ,  和田 隆博
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996308979
Publication number (International publication number)：1998150212
Application date： Nov. 20, 1996
Publication date： Jun. 02, 1998
Summary：

【要約】【課題】キャリア濃度の制御が容易で、太陽電池の光吸収層として用いた場合に高いエネルギー変換効率を示すカルコパイライト構造半導体薄膜を製造するのに好適な半導体薄膜形成用前駆体ならびに半導体薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】基体上にIb族とVb族元素を含む薄膜(例えば、Cu-P)またはIIIb族とVb族元素を含む薄膜(例えば、In-P)を堆積し、その上にIb族とIIIb族元素を含む薄膜(例えば、CuとInの積層膜またはCu-In-Oの酸化物薄膜またはCu-In-Seの薄膜)を堆積し、VIb族元素を含む雰囲気中(例えば、H2SeやH2Sを含むガス)で熱処理することによりドーパントとなるVb族元素を添加したIb族、IIIb族とVIa族元素からなるカルコパイライト構造半導体薄膜(例えば、CuInSe2:PまたはCuInS2:P等)を製造する。

Claim (excerpt)：

主成分となるIb族及びIIIb族元素と、ドーパントとなるVb族元素からなる薄膜で構成された半導体薄膜形成用前駆体。

IPC (3)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

FI (3)：

H01L 31/04 E ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 化合物半導体、その薄膜製造方法及びそれを用いた半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-136571   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開昭61-237476
  
• 特開平4-132233
  
• 特開平4-127483
  
• カルコパイライト型化合物の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-132754   Applicant：松下電器産業株式会社
• カルコパイライト構造半導体薄膜の製造方法、薄膜太陽電池及び発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-198598   Applicant：松下電器産業株式会社