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J-GLOBAL ID：200903064690352692

光学活性三級ホスフイン化合物およびこれを配位子とする遷移金属錯体

Inventor： 林 民生 ,  魚住 泰広 ,  山▲ざき▼ 明子 ,  雲林 秀徳
Applicant, Patent owner： 高砂香料工業株式会社
Agent (1)： 小野 信夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991266864
Publication number (International publication number)：1993017491
Application date： Sep. 19, 1991
Publication date： Jan. 26, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【構成】 次の一般式[式中、Phはフェニル基を示し、Rは低級アルキル基又は基-OR1(ここでR1は、水素原子、炭素数5〜7のシクロアルキル基または、ハロゲン原子、低級アルコキシ基若しくはフェニル基で置換されていても良い炭素数1〜6のアルキル基を示す。但し、低級アルコキシ基は更に別の低級アルコキシ基で置換されていても良い)を示す]で表される2-置換-2’-ジフェニルホスフィノ-1,1,-ビナフチルおよびこれを配位子とする遷移金属錯体。【効果】 得られた遷移金属錯体は、不斉合成反応、例えば不斉シリル化反応の触媒等として用いると、高い収率でかつ高い不斉収率で目的物を与える。また、不斉合成反応において所望する絶対配置の目的物を得ることができる。

Claim (excerpt)：

次の一般式(I)【化1】[式中、Phはフェニル基を示し、Rは低級アルキル基又は基-OR1(ここでR1は、水素原子、炭素数5〜7のシクロアルキル基または、ハロゲン原子、低級アルコキシ基若しくはフェニル基で置換されていても良い炭素数1〜6のアルキル基を示す。 但し、低級アルコキシ基は更に別の低級アルコキシ基で置換されていても良い)を示す]で表される2-置換-2'-ジフェニルホスフィノ-1,1'-ビナフチル。

IPC (3)：

C07F 9/50 ,  B01J 31/24 ,  C07F 15/00