半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高田守 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994292988
Publication number (International publication number)：1996153704
Application date： Nov. 28, 1994
Publication date： Jun. 11, 1996
Summary：

【要約】【構成】半導体装置の製造方法であって、段差部を有する絶縁層2上に設けられた導電膜3および有機反射防止膜4のエッチングプロセスに窒素ガスプラズマ、窒素と酸素の混合ガスプラズマ、炭酸ガスプラズマを用いた。また導電膜3および反射防止膜4を同時にエッチングする目的で、塩素とフッ素系の混合ガスプラズマを用いた。【効果】有機反射防止膜および導電膜のパターン加工精度がよくなる。

Claim (excerpt)：

半導体装置の製造方法であって、基板上に段差部を有する絶縁膜を形成する工程と、上記絶縁膜上に導電膜を形成する工程と、上記導電膜上に有機反射防止膜を形成する工程と、上記有機反射防止膜上にフォトレジストパターンを形成する工程と、上記フォトレジストパターンをマスクとして、上記有機反射防止膜を窒素ガスプラズマでエッチングする工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/3065 , H01L 21/027 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (3)：

H01L 21/302 F , H01L 21/30 574 , H01L 27/10 681 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平4-254327
特開昭62-065425
酸化防止方法およびドライエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-042136 Applicant：ソニー株式会社

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