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J-GLOBAL ID：200903064713333771

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 須黒 恭一 ,  飯沼 俊彦 ,  圷 晴子
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997251816
Publication number (International publication number)：1999097387
Application date： Sep. 17, 1997
Publication date： Apr. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】pn接合リーク電流の増加を招くことなく、浅い不純物拡散層の表面にCoSi2 層を形成すること。【解決手段】n+ 型不純物拡散層13の表面にCoSi層を選択的に形成し、次にCoSi層上に非晶質Si層を形成し、次に熱処理により、非晶質Si層16中のSi原子をCoSi層15を介して、非晶質Si層16の表面まで固相拡散させ、n+ 型不純物拡散層13と非晶質Si層16との界面にエピタキシャルSi膜17を形成し、最後にCoSi層15をエピタキシャルSi膜17およびn+ 型不純物拡散層13のそれぞれと反応させ、n+ 型不純物拡散層13と接合を形成するCoSi2 層18を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体領域上に設けれたエピタキシャル半導体膜と、このエピタキシャル半導体膜上に設けられ、半導体の組成比が金属の組成比よりも大きい、前記金属と前記半導体からなる合金層とを具備してなり、前記エピタキシャル半導体膜は前記金属を含み、その濃度が1×1012cm-3以上1×1016cm-3以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (2)：

H01L 21/28 301 S ,  H01L 29/78 301 P