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J-GLOBAL ID：200903064715904040

放電プラズマ処理装置

Inventor： 下西 弘二
Applicant, Patent owner： 積水化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001298024
Publication number (International publication number)：2003100646
Application date： Sep. 27, 2001
Publication date： Apr. 04, 2003
Summary：

【要約】【課題】 高速処理及び大面積処理に対応可能でかつ、基材にダメージを与えず、異常放電を抑制し、基材上に形成される薄膜等に影響を与えない放電プラズマ処理装置の提供。【解決手段】 電圧印加電極と接地電極からなる対向電極を有し、前記対向電極の少なくとも一方の電極対向面が固体誘電体で被覆され、前記対向電極間に電界を印加することにより前記対向電極間に発生するグロー放電プラズマを、プラズマ発生空間外に配置された基材に導いて処理を行う処理装置であって、前記電圧印加電極と基材との間に金属板を設置することを特徴とする放電プラズマ処理装置。

Claim (excerpt)：

電圧印加電極と接地電極からなる対向電極を有し、前記対向電極の少なくとも一方の電極対向面が固体誘電体で被覆され、前記対向電極間に電界を印加することにより前記対向電極間に発生するグロー放電プラズマを、プラズマ発生空間外に配置された基材に導いて処理を行う処理装置であって、前記電圧印加電極と基材との間に金属板を設置することを特徴とする放電プラズマ処理装置。

IPC (8)：

H01L 21/205 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/505 ,  C23C 16/515 ,  C23C 16/517 ,  C23C 30/00 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/24

FI (8)：

H01L 21/205 ,  B01J 19/08 H ,  C23C 16/505 ,  C23C 16/515 ,  C23C 16/517 ,  C23C 30/00 C ,  C23F 4/00 A ,  H05H 1/24

F-Term (71)：

4G075AA24 ,  4G075AA61 ,  4G075AA62 ,  4G075BD14 ,  4G075CA16 ,  4G075CA47 ,  4G075CA57 ,  4G075CA61 ,  4G075FB02 ,  4G075FB12 ,  4K030AA02 ,  4K030AA05 ,  4K030AA11 ,  4K030BA42 ,  4K030BA44 ,  4K030BA45 ,  4K030BA46 ,  4K030CA02 ,  4K030CA05 ,  4K030CA07 ,  4K030DA02 ,  4K030DA03 ,  4K030EA05 ,  4K030FA01 ,  4K030FA03 ,  4K030JA09 ,  4K030JA14 ,  4K030KA17 ,  4K030KA30 ,  4K030KA32 ,  4K044AA02 ,  4K044AA03 ,  4K044AA06 ,  4K044AB02 ,  4K044BA12 ,  4K044BA13 ,  4K044BA14 ,  4K044BA21 ,  4K044BB01 ,  4K044BC14 ,  4K057DA01 ,  4K057DA02 ,  4K057DA19 ,  4K057DB06 ,  4K057DD01 ,  4K057DD07 ,  4K057DG13 ,  4K057DK03 ,  4K057DM06 ,  4K057DM18 ,  4K057DM19 ,  4K057DM20 ,  4K057DM28 ,  4K057DN01 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AE25 ,  5F045AF03 ,  5F045BB16 ,  5F045EH04 ,  5F045EH05 ,  5F045EH08 ,  5F045EH12 ,  5F045EH18 ,  5F045EH19

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 局所処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-046393   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 半導体製造装置および半導体ウエハの処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-312832   Applicant：株式会社日立製作所
• 薄膜トランジスタの製造方法およびそれに用いられるプラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-364709   Applicant：シャープ株式会社
• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-269211   Applicant：パール工業株式会社

Cited by examiner (1)

• 局所処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-046393   Applicant：セイコーエプソン株式会社