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J-GLOBAL ID：200903064722089468

磁性メモリ

Inventor： 安部 俊郎 ,  水上 誠
Applicant, Patent owner： 日本ビクター株式会社
Agent (1)： 梶原 康稔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999276576
Publication number (International publication number)：2001014843
Application date： Sep. 29, 1999
Publication date： Jan. 19, 2001
Summary：

【要約】【課題】 良好な特性の絶縁層を、簡単にしかも均一に作製することができる生産性のよいスピントンネル磁気抵抗効果型の磁性メモリを提供する。【解決手段】 非磁性基板10上には、第一磁性層12,グラニュラ層14,第二磁性層16が順に積層形成される。グラニュラ層14は、絶縁性マトリクス20中に導電性微粒子22を分散した構造となっており、例えば数百nm程度の膜厚に形成される。グラニュラ層14の場合、膜中に導電性微粒子22が存在するため、導電性微粒子22の隙間を電子がトンネルすれば電流が流れるようになる。従って、膜厚が厚くても、グラニュラ層12中をトンネル電流が流れるようになる。

Claim (excerpt)：

第一の強磁性膜と第二の強磁性膜の間にトンネル電流を制御するスペーサ層を積層形成した磁性メモリにおいて、前記スペーサ層を、絶縁性マトリクス中に導電性微粒子を分散したグラニュラ膜によって形成したことを特徴とする磁性メモリ。

IPC (4)：

G11C 11/15 ,  G11C 11/14 ,  H01F 10/30 ,  H01L 43/08

FI (4)：

G11C 11/15 ,  G11C 11/14 A ,  H01F 10/30 ,  H01L 43/08 Z

F-Term (4)：

5E049AA04 ,  5E049AC00 ,  5E049BA06 ,  5E049DB14