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J-GLOBAL ID：200903064735710200

絶縁ゲート型サイリスタ

Inventor： 岩室 憲幸
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994056407
Publication number (International publication number)：1995273312
Application date： Mar. 28, 1994
Publication date： Oct. 20, 1995
Summary：

【要約】【目的】オン時にはサイリスタ動作により低オン電圧にし、オフ時にはIGBT動作により高速スイッチングを可能にするダブルゲートの絶縁ゲート型サイリスタの破壊耐量を向上させる。【構成】オフ時のスイッチング電流の第二ゲート電極を用いた横型MOSFETを通る量を減らすために、n+ ソース領域を一部形成しないでおき、カソード電極の一部を直接pベース領域に接触させ、バイポーラトランジスタをサイリスタと並列接続させ、そのトランジスタからもカソード電極へも電流が抜けるようにして破壊耐量を向上する。

Claim (excerpt)：

高抵抗率の第一導電形ベース層と、その第一導電形ベース層の一面側の表面層に選択的に形成された第二導電形ベース領域と、その第二導電形ベース領域の表面層に第二導電形ベース領域の縁部に近い側から順に選択的に形成された第一導電形の第一ソース領域、第一導電形の第二ソース領域および第一導電形エミッタ領域と、第一導電形ベース層の他面側に低抵抗率の第一導電形バッファ層を介して形成された第二導電形エミッタ層と、第一ソース領域および第一導電形ベース層の露出部にはさまれた第二導電形ベース領域の表面上に絶縁膜を介して設けられた第一ゲート電極と、第二ソース領域およびエミッタ領域にはさまれた第二導電形ベース領域の露出部上に絶縁膜を介して設けられた第二ゲート電極と、第二導電形エミッタ層に接触する第一主電極と、第一導電形エミッタ領域、第一ソース領域および第一ソース領域の欠如部で第二導電形ベース領域に共通に接触する第二主電極と、第二ソース領域および第二導電形ベース領域に共通に接触する補助電極を有することを特徴とする絶縁ゲート型サイリスタ。

IPC (3)：

H01L 29/74 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (2)：

H01L 29/74 N ,  H01L 29/78 321 Z