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J-GLOBAL ID：200903064741651622

薄膜トランジスタの製造方法

Inventor： 磯村 雅夫 ,  原田 康樹
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 鳥居 洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993078965
Publication number (International publication number)：1994267987
Application date： Mar. 12, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 チャネル部とコンタクト層とで結晶粒径を異ならしめる処理が製造工程を複雑化することなく行え、また、コンタクト層と配線電極との接触面積を大きくできる薄膜トランジスタの製造方法を提供することを目的とする。【構成】 ソースコンタクト層及びドレインコンタクト層の形成位置に対応したガラス基板1上に、このガラス基板1よりも高い熱伝導率を有する導電性の下地層2a,2bを形成する工程と、上記両下地層2a,2bの間のガラス基板1上及び両下地層2a,2b上であってその一部が露出するようにpoly-Si膜3′を形成する工程と、このpoly-Si膜3′における前記コンタクト層となる部分に不純物をドーピングする工程と、上記下地層2a,2bの露出している部分にも接触するように金属膜6a,6bを形成する工程とを含む。

Claim (excerpt)：

ソースコンタクト層及びドレインコンタクト層の形成位置に対応した絶縁性基板上に、この絶縁性基板よりも高い熱伝導率を有する下地層を形成する工程と、上記両下地層の間の絶縁性基板上及び両下地層上に多結晶半導体膜を形成する工程と、この多結晶半導体膜における前記コンタクト層となる部分に不純物をドーピングする工程と、を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/265

FI (3)：

H01L 29/78 311 Y ,  H01L 21/265 P ,  H01L 21/265 A