Pat

J-GLOBAL ID：200903064752392610

半導体装置

Inventor： 伊藤 達志 ,  北山 彰子 ,  浜田 孝利 ,  山口 美穂
Applicant, Patent owner： 日東電工株式会社
Agent (1)： 西藤 征彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995187420
Publication number (International publication number)：1996102510
Application date： May. 01, 1986
Publication date： Apr. 16, 1996
Summary：

【要約】【課題】表面実装時の熱衝撃に耐え、実装後の耐湿信頼性の低下現象が生じない半導体装置を提供する。【解決手段】半導体素子が封止樹脂で封止されている半導体装置であり、上記半導体素子における半導体チップと封止樹脂との接着が、上記半導体チップにおけるケイ素と封止樹脂におけるケイ素との酸素架橋を主体として行われたものである。

Claim (excerpt)：

半導体素子が封止樹脂で封止されている半導体装置であって、半導体素子における半導体チップと封止樹脂との接着が、上記半導体チップにおけるケイ素と封止樹脂におけるケイ素との酸素架橋を主体として行われていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08L 63/00 NKT ,  C08G 59/18 NKK

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭61-082438
  
• 特開昭62-257758