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J-GLOBAL ID：200903064753634995
フオトマスクのパターン欠陥修正方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991301996
Publication number (International publication number)：1993142756
Application date： Nov. 18, 1991
Publication date： Jun. 11, 1993
Summary：
【要約】【目的】 LSIの製造に用いられる位相シフトマスクのパターン欠陥を高精度に修正する。【構成】 位相シフトマスクのパターン欠陥を含む領域に平坦化膜を形成した後、そのパターン欠陥を含むより狭い領域内に集束イオンビームを走査して照射し、エッチングする。二次信号の強度変化を検出することによってエッチングの終点を検出した後、平坦化膜を除去する。
Claim (excerpt)：
マスク基板上に、遮光膜と位相シフタとを含む所定の位相シフトマスクのパターンを形成した後に、前記マスク基板表面上の遮光膜が存在しない領域に発生した位相シフタのパターン欠陥を除去するための、フォトマスクのパターン欠陥修正方法であって、前記マスク基板上の前記パターン欠陥を含む第1の領域の表面を、前記パターン欠陥および前記マスクを平坦化膜で覆う工程と、前記第1の領域に含まれるとともに前記パターン欠陥を含む、前記マスク基板上の第2の領域上に、集束イオンビームを照射して、前記平坦化膜および前記パターン欠陥をエッチングする工程と、残存した前記平坦化膜を除去する工程と、を備えたフォトマスクのパターン欠陥修正方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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